เวสเทิร์น ดิจิตอล เปิดตัวเทคโนโลยีชิป 3D NAND แบบ 96 เลเยอร์ เป็นรายแรกในอุตสาหกรรม ตอกย้ำความเป็นผู้นำเทคโนโลยีหน่วยความจำ 3D NAND รวมถึงการดำเนินงานและการพัฒนาเทคโนโลยีที่ยังคงแข็งแกร่ง
เวสเทิร์น ดิจิตอล คอร์ปอเรชั่น (NASDAQ: WDC) ผู้นำด้านเทคโนโลยีและโซลูชั่นการจัดเก็บข้อมูลระดับโลก แถลงถึงความสำเร็จในการพัฒนาเทคโนโลยีหน่วยความจำชิป NAND แบบสามมิติ (3D NAND) รุ่นใหม่ล่าสุดซึ่งใช้ชื่อว่า “BiCS4” มาพร้อมศักยภาพการเก็บข้อมูลแนวตั้งแบบ 96 เลเยอร์
โดยคาดว่าลูกค้าที่รับจ้างผลิต (OEM) จะได้ทดสอบใช้งานเทคโนโลยีหน่วยความจำล่าสุดนี้ในช่วงครึ่งปีหลังตามปฏิทินพ.ศ. 2560 และเริ่มเดินสายการผลิตในปีตามปฏิทิน พ.ศ.2561 ทั้งนี้ “BiCS4” เกิดจากการพัฒนาร่วมกันระหว่าง บริษัท เวสเทิร์น ดิจิตอล และบริษัทคู่ค้า โตชิบา คอร์ปอเรชั่น โดยเบื้องต้นจะเริ่มใช้งานชิปขนาด 256 กิกกะไบต์ก่อนและจะขยายศักยภาพของหน่วยความจำให้มีมากขึ้น โดยครอบคลุมไปถึงระดับเทระบิตบนชิปเดี่ยว
“ความสำเร็จในการพัฒนาเทคโนโลยีชิป 3D NAND แบบ 96 เลเยอร์ เป็นรายแรกในอุตสาหกรรมของเรานั้นได้ตอกย้ำความเป็นผู้นำของ เวสเทิร์น ดิจิตอล ในการพัฒนาหน่วยความจำแฟลช NAND และประสิทธิภาพการดำเนินการอย่างยอดเยี่ยมตามแผนเทคโนโลยีของเรา” ดร.ศิวะ ศิวะราม รองประธานบริหาร ฝ่ายเทคโนโลยีหน่วยความจำของบริษัท เวสเทิร์น ดิจิตอล กล่าวและเสริมว่า “BiCS4 สามารถจัดเก็บข้อมูลภายใต้โครงสร้าง 3 บิตต่อเซลล์ และ 4 บิตต่อเซลล์
นอกจากนี้ยังมีเทคโนโลยีและนวัตกรรมการผลิตเพื่อให้ชิป 3D NAND ได้มอบศักยภาพการเก็บข้อมูลได้อย่างสูงสุด ประสิทธิภาพการทำงาน และความน่าเชื่อถือในระดับสูงสุดด้วยราคาที่น่าดึงดูดใจสำหรับลูกค้าของเรา ผลิตภัณฑ์ในกลุ่ม 3D NAND ของเวสเทิร์น ดิจิตอล นั้นถูกออกแบบมาเพื่อตอบโจทย์ผู้บริโภคที่หลากหลาย อุปกรณ์เคลื่อนที่ การประมวลผล และศูนย์ข้อมูล”
เวสเทิร์น ดิจิตอล ยังเน้นในเรื่องการดำเนินงานของศูนย์การผลิตที่เกิดจากการร่วมทุนในญี่ปุ่นที่มีความแข็งแกร่งอยู่อย่างต่อเนื่อง บริษัทฯ ย้ำว่าในปี พ.ศ.2560 ผลผลิตหน่วยความจำเทคโนโลยีชิป 3D NAND แบบ 64 เลเยอร์จะมีสัดส่วนมากกว่าร้อยละ 75 ของการผลิต 3D NAND
ทั้งหมด บริษัทฯ เชื่อมั่นว่าการผนึกกำลังกับบริษัทคู่ค้า โตชิบา คอร์ปอเรชั่นจะทำให้ผลผลิตชิป 3D NAND แบบ 64 เลเยอร์ของบริษัทร่วมทุนทั้งหมดในปีปฏิทิน พ.ศ.2560 จะสูงกว่าผลผลิตของบริษัทผู้ผลิตทุกรายในอุตสาหกรรมภายในปีปฏิทิน พ.ศ. 2560
